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  • Aluminiumnitrid (ALN)-Scheibe φ300*20mm
    Aluminiumnitrid verfügt über verschiedene Eigenschaften, die es für eine Reihe industrieller Anwendungen geeignet machen: Hohe Wärmeleitfähigkeit (über 170 W/mK), die nahe an den Werten von BeO und SiC liegt und mehr als fünfmal so hoch ist wie die von Aluminiumoxid (Al).2O3). Wärmeausdehnungskoeffizient von 4,5 × 10⁻⁶°C, ähnlich wie Silizium (3,5-4 × 10⁻⁶°C). Gute optische Transparenz. Ungiftig. Hervorragende elektrische Leitfähigkeit. Die elektrischen Eigenschaften von Aluminiumnitrid, einschließlich seiner Dielektrizitätskonstante, dielektrischer Verlust, spezifischer Durchgangswiderstand und Durchschlagsfestigkeit machen es zu einem hervorragenden Isoliermaterial. Gute mechanische Eigenschaften: Die mechanische Festigkeit von Aluminiumnitrid ist auch ein Grund für seinen umfangreichen Einsatz in industriellen Prozessen und bietet im Vergleich zu Aluminiumoxid (Al) eine höhere Biegefestigkeit2O3) und Berylliumoxid (BeO)-Keramik.    
  • Aluminiumnitrid (ALN) Wafer φ300*1mm
    Aluminiumnitrid (AIN) ist ein fortschrittliches Material, das für seine hohe Wärmeleitfähigkeit, Ungiftigkeit, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit, Hochtemperaturstabilität und hervorragende elektrische Isolationseigenschaften bekannt ist. Diese Eigenschaften machen es unverzichtbar für Wärmeableitungs- und Verpackungsanwendungen in integrierten Schaltkreisen mit hoher Dichte, hoher Leistung und hoher Geschwindigkeit. Sein thermischer Ausdehnungskoeffizient, der dem von Silizium entspricht, festigt seine Position in der Halbleiterindustrie weiter und macht es zu einem idealen Material für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte, wie z Aluminiumnitrid (Aln)-Scheibe, Aluminiumnitrid-Wafer, Aluminiumnitrid-Substrat und so weiter.      

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