Warum ist Aluminiumnitrid (AlN) leistungsmäßig überlegen, hat aber einen Marktanteil von unter 30 % (Teil II)

Der Weg zum Durchbruch: Resonanz zwischen technologischer Iteration und Marktnachfrage

Technologische Durchbrüche: Lokalisierung und Prozessoptimierung

Pulveraufbereitung: Lokaler Durchbruch durch carbothermische Reduktion
Die gängigen Methoden zur Herstellung Aluminiumnitrid (AlN)-Pulver (z. B. direkte Nitrierung) sind auf hochreines Aluminium und extreme Bedingungen angewiesen, während japanische Firmen wie Tokuyama den Markt dominieren. AlN-Substrate mit hoher Wärmeleitfähigkeit Markt. Chinesische Forscher haben die AlN-Carbothermal-Reduktionsprozess, wobei Aluminiumoxid und Ruß verwendet werden, um eine gleichzeitige Reduktion und Nitrierung bei 1.600 °C zu erreichen. Dies reduziert AlN-Pulverherstellung Kosten um 60%, Senkung der Preise für200–300/kg to unter 200–300/kg to unter 80/kg. Durch die Anpassung der Reaktionsparameter Submikron AlN-Pulver (0,5–1,5 μm) hergestellt werden und erfüllen strenge Anforderungen für AlN-Keramikanwendungen in 5G und Leistungselektronik.

Niedertemperatur-Sintern: Nano-Modifizierung senkt Energieverbrauch
Traditionell AlN-Sintertemperatursenkung erforderte >1.800°C, was 35% der Produktionskosten ausmachte. Das Shanghai Institute of Ceramics entwickelte eine Nano-YAG-Beschichtung für AlN-Keramiken, wodurch Niedertemperatursintern von AlN bei 1.480°C. Dies reduziert den Energieverbrauch um 30% und senkt Y₂O₃ beim AlN-Sintern von 5 Gew.-% auf 2 Gew.-%, wodurch sekundäre Phasen vermieden werden, die sich zersetzen Wärmeleitfähigkeit von AlN (>190 W/(m·K)).

Neue Nachfrage: 5G und Wide-Bandgap-Halbleiter treiben das Wachstum

Mit SiC/GaN-Geräte AlN erhöht die Sperrschichttemperaturen auf über 200 °C vs. Al₂O₃ für Leistungselektronik neigt sich in Richtung AlN. Die AlN-Marktwachstum in der Halbleiterindustrie ist robust, mit Substraten für Fahrzeugradar und Rechenzentren, die einen Markt von voraussichtlich 1,2 Milliarden US-Dollar bis 2023 antreiben (15 % CAGR).

Politische Unterstützung: Chinas Streben nach AlN-Autarkie

Chinas 14. Fünfjahresplan priorisiert AlN-Pulverversorgung Kette Lokalisierung, mit Subventionen zur Förderung AlN-Selbstversorgung in China 2025 bis >50 %.

Fazit: Der industrielle Wendepunkt von AlN

Während Direktnitrierung vs. carbothermisches AlN Debatten dauern an, Kosten für AlN-Pulver pro kg und Prozessreife bleiben Hürden. Doch mit AlN in Hochleistungs-LED-Gehäusen und 5G-Ausbau, das Material gelangt vom Labor in die Fabrik. Für Investoren und Ingenieure ist die Verfolgung So können die Herstellungskosten von AlN gesenkt werden Und AlN-Substrate für SiC/GaN-Geräte wird der Schlüssel sein, um aus diesem Wandel Kapital zu schlagen.

Über Xiamen Juci-Technologie Co., Ltd.

Xiamen Juci-Technologie Co., Ltd. ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Forschung, Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Hochleistungskeramiken spezialisiert hat. Das Unternehmen bietet hochwertige Produkte und Lösungen der Aluminiumnitrid-Serie für Branchen wie die Elektronik-, Halbleiter- und Luft- und Raumfahrtindustrie und genießt mit seiner herausragenden Qualität und seinem Service das Vertrauen seiner Kunden.

Medienkontakt:
Xiamen Juci-Technologie Co., Ltd.

Telefon: +86 592 7080230
E-Mail: miki_huang@chinajuci.com
Webseite: www.jucialnglobal.com