Anwendung von AlN in der Halbleiterindustrie: Halbleiteranlagenkomponenten

In der Halbleiterfertigung ist die Wärmeableitung von Siliziumwafern von entscheidender Bedeutung. Wird keine gleichmäßige Temperaturverteilung auf der Oberfläche des Siliziumwafers gewährleistet, beeinträchtigt dies die Gleichmäßigkeit und Präzision der Verarbeitung während der Waferherstellung.

Die Vorteile der Verwendung Aluminiumnitrid Als primäres Material werden unter anderem folgende Faktoren berücksichtigt: Durch die Steuerung des spezifischen Volumenwiderstands lassen sich ein breiter Temperaturbereich und eine ausreichende Adsorptionskraft erzielen. Elektrostatische Spannfutter (ESC) Die aus Aluminiumnitrid hergestellten Heizelemente ermöglichen eine hervorragende Temperaturhomogenität durch hochflexible Heizelemente. Aluminiumnitrid Komponenten(AlN Komponenten) Sie werden im monolithischen Sinterverfahren hergestellt, wodurch Alterungseffekte durch Elektrodenabbau vermieden und die Produktqualität maximiert wird. Sie sind dauerhaft in Plasma-Halogen-Vakuumatmosphären einsetzbar, widerstehen den härtesten Prozessbedingungen in der Halbleiter- und Mikroelektronikfertigung und bieten gleichzeitig eine stabile Adsorptionskraft und präzise Temperaturregelung.

Momentan, Xiamen Juci verwendet das carbothermische Reduktionsverfahren zur Herstellung Aluminiumnitridpulvermit einer Produktionskapazität von 700 Tonnen pro Jahr im Werk Xiamen und 1200 Tonnen pro Jahr im Werk Innere Mongolei.

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