Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate

In der sich schnell entwickelnden Elektronikindustrie sind Wärmeableitung und Zuverlässigkeit entscheidende Faktoren für die Produktleistung. Aluminiumnitrid (AlN)-Keramiksubstrate, mit ihrer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, ihren hervorragenden elektrischen Isolationseigenschaften und ihren stabilen mechanischen Eigenschaften, werden sie zur idealen Wahl für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Frequenz. Ob in der 5G-Kommunikation, bei Fahrzeugen mit alternativer Energie, in der Luft- und Raumfahrt, bei Industrielasern oder in der Halbleiterbeleuchtung – AlN-Keramiksubstrate bieten unübertroffene Lösungen und helfen Ihren Produkten, sich im Wettbewerb abzuheben.

Hauptmerkmal

Überlegene Wärmeleitfähigkeit: Mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170–220 W/(m·K), die die von Aluminiumoxidkeramik bei weitem übertrifft, leitet AlN Wärme effizient ab und gewährleistet so den stabilen Betrieb von elektronischen Hochleistungskomponenten.

Hervorragende elektrische Isolierung: Hoher spezifischer Widerstand und geringer dielektrischer Verlust machen es für Hochfrequenzschaltungen geeignet, reduzieren Signalübertragungsverluste und verbessern die Geräteleistung.

Hervorragende Anpassung an die Wärmeausdehnung: Der Wärmeausdehnungskoeffizient ähnelt dem von Halbleitermaterialien wie Silizium und Galliumarsenid, wodurch die Wärmespannung effektiv reduziert und die Lebensdauer des Geräts verlängert wird.

Mechanische Festigkeit und Stabilität: Hohe Festigkeit, Härte und Beständigkeit gegen chemische Korrosion gewährleisten Zuverlässigkeit und Haltbarkeit auch in rauen Umgebungen.

Präzisionsbearbeitungsfähigkeit: Unterstützt Prozesse wie Laserschneiden, Bohren und Metallisieren, erfüllt komplexe Anforderungen an das Schaltungsdesign und ermöglicht hochintegrierte Verpackungen.