AluminiumnitridAufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit kann es herkömmliches Aluminiumoxid und Berylliumoxid ersetzen und ist somit eine ideale Wahl für Substratmaterialien in großflächigen integrierten Schaltungen. Darüber hinaus eignet es sich hervorragend für hochdichte Gehäuseanwendungen, wie beispielsweise VLSI-Komponenten, Gehäuse für Mikrowellen-Vakuumröhren und Gehäuse für Hybrid-Leistungsschalter.
Da elektronische Geräte immer leistungsfähiger werden und eine höhere Integrationsdichte aufweisen, gilt Aluminiumnitrid als vielversprechender Kandidat für Gehäusematerialien der nächsten Generation. Es wird erwartet, dass Aluminiumnitrid im Bereich der Substrate und der hochdichten Gehäuse Aluminiumoxid und Berylliumoxid schrittweise ersetzen und so den kontinuierlichen Fortschritt der Elektroniktechnologie vorantreiben wird.
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